參數(shù)資料
型號: IRLR3717
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 268K
代理商: IRLR3717
6
www.irf.com
Fig 13c.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13b.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 13a.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
500
1000
1500
2000
EA
ID
TOP 8.2A
9.7A
BOTTOM12A
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
2
4
6
8
10
12
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 15A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU3717 HEXFET Power MOSFET
IRLR3915PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU3915PbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR7807ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZPbF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR3717HR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLR3717PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3717TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 120A 21nC 4.2mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3717TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3717TRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 120A 3PIN DPAK - Tape and Reel