參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR3715ZCPBFTRL
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 297K
代理商： IRLR3715ZCPBFTRL
www.irf.com
1
02/23/06
IRLR3715ZCPbF
IRLU3715ZCPbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
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Applications
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l Lead-Free
VDSS RDS(on) max Qg
20V
11m
:
7.2nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
IDM
Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
W
PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
W/°C
TJ
Operating Junction and
°C
TSTG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
3.75
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
–––
50
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
110
40
0.27
20
Max.
49
f
35
f
200
± 20
20
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
D-Pak
IRLR3715ZCPbF
I-Pak
IRLU3715ZCPbF
PD - 96053
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR3715ZCPBFTR 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRLU024PBF 14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRM-2638S18 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-3638N3F6 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-3638 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR3715ZCTRLP 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZCTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Bulk
IRLR3715ZPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 7.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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