參數資料
型號： IRLR2905ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 9/11頁
文件大小： 277K
代理商： IRLR2905ZPBF
www.irf.com
9
12
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
DATE CODE
PART NUMBER
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
ASSEMBLY
LOT CODE
916A
34
IRFU120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = ASSEMBLY SITE CODE
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
OR
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead-Free"
12
34
PART NUMBER
IRFU120
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
相關PDF資料
PDF描述
IRLU2905ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRLR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR2908PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLU2908PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRLR2905ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR2905ZTRPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR2908 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLR2908PBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR2908TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 39A 28mOhm 22nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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