參數(shù)資料
型號: IRLR111
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 4A條(丁)|至252
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 253K
代理商: IRLR111
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR120 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-252AA
IRLR121 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-252
IRLU110 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | TO-251AA
IRLU111 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251
IRLU120A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR120 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLR120ATF 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120ATM 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR120N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)