參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR024ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車(chē)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRLR024ZPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
3.0V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
3.0V
0
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ID,Drain-to-Source Current (A)
0
5
10
15
Gf
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 8.0V
300μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU024ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR110PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLU110PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR120 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLU120 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRLR024ZTRPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRLR110A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
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