參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML5103
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： IRLML5103
IRLML5103
SOT-23 Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Part Marking Information
SOT-23
Package Outline
LEAD ASSIG NMENTS
1 - G ATE
2 - SO URCE
3 - DRAIN
H
0.20 ( .008 ) M A M
L
3X
3X
C
θ
A1
- C -
B 3X
A
e
e1
0.008 (.003)
3
1
2
E
- A -
- B -
D
D IM
IN C H ES M ILLIM ET ER S
M IN M A X M IN M AX
A .032 .044 0.82 1.11
A 1 .001 .004 0.02 0.10
B .015 .021 0.38 0.54
C .004 .006 0.10 0.15
D .105 .120 2.67 3.05
e .0750 BASIC 1.90 BASIC
e1 .0375 BASIC 0.95 BASIC
E .047 .055 1.20 1.40
H .083 .098 2.10 2.50
L .005 .010 0.13 0.25
θ
0° 8° 0° 8°
0.10 (.004) M C A S B S
M IN IM U M R EC OM M E N DED FO OT PR IN T
0.80 ( .031 )
3X
2.00
( .079 )
0.95 ( .037 )
2X
0.90
( .035 )
3X
3
3
3
DIM EN SIO NS D O N OT IN C LU DE M O LD FLASH .
N OT ES:
1. DIM EN SIO NIN G & TO LER AN CING PE R AN SI Y14.5M -1982.
2. CO N TR O LLIN G DIM EN SION : IN C H .
PAR T NU MB ER
DATE
CODE
W = W E EK COD E
W ORK W EE K = (1-26) IF PRE CEDE D BY LAST DIGIT OF CA LE NDER YEAR
W ORK W E EK = ( 27-52) IF PRE CED ED BY LETTER
W O RK
W ORK
Y = YEAR C ODE
TOP
YE AR Y W EE K W
2001 1 01 A
2002 2 02 B
2003 3 03 C
1994 4 04 D
1995 5
1996 6
1997 7
1998 8
1999 9
2000 0 24 X
25 Y
26 Z
P ART NUM BE R EX AMP LES:
1A = IRLM L2402
1B = IRLM L2803
1C = IRLM L6302
1D = IRLM L5103
YEA R Y W E EK W
2001 A 27 A
2002 B 28 B
2003 C 29 C
1994 D 30 D
1995 E
1996 F
1997 G
1998 H
1999 J
2000 K 50 X
51 Y
52 Z
1C YW
EXA MP LE : THIS IS AN IRLM L6302
DATE CODE E XAM PLES :
YW W = 9503 = 5C
YW W = 9532 = EF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLML5203PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLML5203 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLML6302PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML6401PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML5103GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRLML5103GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML5103PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -30V -0.61A MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -0.61A, MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:P CH MOSFET, -30V, 610mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-610mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
IRLML5103PBF_11 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Lead-Free, Fast Switching, Available in Tape and Reel
IRLML5103TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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