參數(shù)資料
型號(hào): IRLML2803GTRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet Micro-3, SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫歐 @ 910mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 85pF @ 25V
功率 - 最大: 540mW
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Micro3?/SOT-23
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng): IRLML2803GTRPBFDKR