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參數(shù)資料
| 型號： | IRLM210A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 0.77 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | IRLM210A |
IRLM210A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
2
4
6
0
2
4
6
V
DS
= 160 V
V
DS
=100 V
V
DS
= 40 V
@ Notes : I
D
= 3.3 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
60
120
180
240
300
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR210 | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLR210A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLU210A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLRU210A | Advanced Power MOSFET |
| IRLR230A | ADVANCED POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLM210ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLM220A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLM220ATF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLM6302TR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRLM6402GPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
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