| 型號： | IRLHM620TR2PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | IR Hexfet PQFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 26A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫歐 @ 20A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 50µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-VQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PQFN（3x3） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | IRLHM620TR2PBFDKR |