| 型號(hào)： | IRLD014 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫歐 @ 1A，5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *IRLD014 |