參數(shù)資料
型號(hào)： IRLC120
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)|芯片
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 1472K
代理商： IRLC120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLC130 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
IRLC140 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP
IRCC024 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
IRFC014R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
IRFC024R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLC140B 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V - Bulk
IRLD014 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLD014PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLD024 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLD024_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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