| 型號(hào)： | IRLBD59N04ETRLP |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 59A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫歐 @ 35A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-263-5 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |