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參數(shù)資料
| 型號： | IRL81A |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 1.52 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | IRL81A |
Semiconductor Group
2
IRL 81 A
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfnger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm
2
strahlungsempfindlicher Flche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm
2
silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 100
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Verlustleistung
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25
°
C
Derate above,
T
A
> 25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
P
tot
200
mW
1.33
mW/
°
C
R
thJA
375
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlnge der Strahlung bei
I
max
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Durchlaspannung,
I
F
= 20 mA
Forward voltage
Strahlstrke
1)
,
I
F
= 20 mA
Radiant intensity
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 20 mA
Total radiant flux
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
880
nm
λ
36 ... 44
nm
±
25
Grad
deg.
V
F
1.5
(≤
2.0)
V
I
e
≥
1.0
mW/sr
Φ
e
1.5
mW
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