參數(shù)資料
型號(hào)： IRL81
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
中文描述： 發(fā)動(dòng)器- Infrarot - Sendediode GaAlA紅外發(fā)射器
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： IRL81
Semiconductor Group
2
IRL 81 A
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfnger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm
2
strahlungsempfindlicher Flche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm
2
silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 100
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Verlustleistung
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25
°
C
Derate above,
T
A
> 25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
P
tot
200
mW
1.33
mW/
°
C
R
thJA
375
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlnge der Strahlung bei
I
max
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Durchlaspannung,
I
F
= 20 mA
Forward voltage
Strahlstrke
1)
,
I
F
= 20 mA
Radiant intensity
Gesamtstrahlungsflu,
I
F
= 20 mA
Total radiant flux
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
880
nm
λ
36 ... 44
nm
±
25
Grad
deg.
V
F
1.5
(≤
2.0)
V
I
e
≥
1.0
mW/sr
Φ
e
1.5
mW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL81A GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
IRM046U 2.4 / 5GHz ISM Power Amplifier MMIC for W-LAN
IRM047U 2.4 / 5GHz ISM Power Amplifier MMIC for W-LAN
IRM048U 2.4 / 5GHz ISM Power Amplifier MMIC for W-LAN
IS-1009RH Radiation Hardened IS-1009RH is a 2.5V shunt regulator(抗輻射2.5V穩(wěn)壓二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL8113 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL8113L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL8113LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL8113PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL8113S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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