型號(hào): | IRL620 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
中文描述: | 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 6/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 235K |
代理商: | IRL620 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRL630S | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
IRL630 | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
IRL640S | N-Channel Power MOSFET(400V,1.8Ω,3.3A)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓400V,導(dǎo)通電阻1.8Ω,漏電流3.3A)) |
IRL640 | N-Channel Power MOSFET(400V,1.8Ω,3.3A)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓400V,導(dǎo)通電阻1.8Ω,漏電流3.3A)) |
IRLI520A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRL620A | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL620PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL620S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
IRL620SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |