參數(shù)資料
型號(hào)： IRL520A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advenced Power MOSFET
中文描述： 9.2 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRL520A
IRL520A
100
--
1.0
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
90
39
5
10
19
9
10.2
1.7
6.0
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.22
--
440
115
50
20
30
50
30
15
--
--
7.7
340
--
--
--
98
0.34
9.2
32
1.5
--
--
Notes;
(1) Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
(2) L=2mH, I
AS
=9.2A, V
DD
=25V, R
G
=27
, Starting T
J
=25
°
C
(3) I
SD
≤
9.2A, di/dt
≤
300A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
=25
°
C
(4) Pulse Test: Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
(5) Essentially Independent of Operating Temperature
2
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Electrical Characteristics
(T
C
=25
°
C unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain ( Miller ) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
°
C
V
nA
μ
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V,T
C
=150
°
C
V
GS
=5V,I
D
=4.6A
(4)
V
DS
=40V,I
D
=4.6A
(4)
V
DD
=50V,I
D
=9.2A,
R
G
=9
See Fig 13
(4) (5)
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=9.2A
See Fig 6 & Fig 12
(4) (5)
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
(1)
Diode Forward Voltage
(4)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
°
C,I
S
=9.2A,V
GS
=0V
T
J
=25
°
C,I
F
=9.2A
di
F
/dt=100A/
μ
s
(4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL520S 100V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL530 RES 0R .1W 1% MF 805 CHP
IRL530N HEXFET Power MOSFET
IRL530 HEXFET Power MOSFET
IRL530NS HEXFET?? Power MOSFET
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參數(shù)描述
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