參數(shù)資料
型號： IRL3103D1S
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 126K
代理商： IRL3103D1S
IRL3103D1S
PD- 9.1558A
4/2/98
Description
The FETKY family of co-packaged HEXFET power
MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an
innovative board space saving solution for switching
regulator applications. A ow on resistance Gen 5 MOSFET
with a low forward voltage drop Schottky diode and
minimized component interconnect inductance and
resistance result in maximized converter efficiencies.
The D
2
Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
FETKY
TM
MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.4
40
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
°C/W
Thermal Resistance
G
D
S
D2
TO-262
l
Co-packaged HEXFET
Power MOSFET
and Schottky Diode
l
Generation 5 Technology
l
Logic Level Gate Drive
l
Minimize Circuit Inductance
l
Ideal For Synchronous Regulator Application
Parameter
Max.
64
45
220
3.1
89
0.56
± 16
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W
W/°C
V
V
GS
T
J
T
STG
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
= 30V
R
DS(on)
= 0.014
I
D
= 64A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3103D1 MB 8C 8#12 SKT PLUG
IRL3103 Power MOSFET(Vdds=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
IRL3103D2 FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=54A)
IRL3103L Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
IRL3103S Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)
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參數(shù)描述
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IRL3103D1STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D1STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3103D2 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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