型號: | IRKTF200-04DP |
英文描述: | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
中文描述: | 晶閘管模塊|可控硅倍增器| 400V五(無線資源管理)| 200安培我(翻譯) |
文件頁數(shù): | 4/8頁 |
文件大?。?/td> | 339K |
代理商: | IRKTF200-04DP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRKTF200-04EJ | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
IRKTF200-04EK | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
IRKTF200-04EP | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
IRKTF200-04FJ | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
IRKTF200-04FK | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|400V V(RRM)|200A I(T) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRKTF200-08HJ | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
IRKTF200-08HK | 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
IRKTF200-12HJ | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
IRKTF200-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
IRKU/V71 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:THYRISTOR/ THYRISTOR |