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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRKT26 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
| 中文描述： | 晶閘管/二極管和晶閘管/晶閘管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | IRKT26 |
IRK.26 Series
3
Bulletin I27130 rev. G 10/02
www.irf.com
T
J
Junction operating
temperature range
Storage temp. range
T
stg
R
thJC
- 40 to 125
Max. internal thermal
resistance, junction
to case
Typical thermal resistance
case to heatsink
Mounting torque ± 10%
0.31
Per module, DC operation
R
thCS
T
to heatsink
busbar
3
wt
Approximate weight
110 (4)
gr (oz)
Case style
TO-240AA
JEDEC
Thermal and Mechanical Specifications
Parameters
IRK.26
Units
Conditions
- 40 to 125
0.1
5
(5) Available with dv/dt = 1000V/
μ
s, to complete code add S90 i.e. IRKT26/16AS90.
°C
K/W
Nm
Mounting surface flat, smooth and greased
I
RRM
I
DRM
Max. peak reverse and
off-state leakage current
at V
RRM
, V
DRM
15
mA
T
J
= 125
o
C, gate open circuit
V
INS
RMS isolation voltage
2500 (1 min)
V
50 Hz, circuit to base, all terminals
3500 (1 sec)
shorted
dv/dt Max. critical rate of rise
500
V/
μ
s
T
J
= 125
o
C, linear to 0.67 V
DRM
,
Triggering
Blocking
P
GM
P
G(AV)
Max. average gate power
I
GM
-V
GM
gate voltage
Max. peak gate power
10
2.5
Max. peak gate current
Max. peak negative
2.5
A
4.0
2.5
1.7
270
150
80
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
= 125
o
C,
rated V
DRM
applied
T
= 125
o
C,
rated V
DRM
applied
mA
V
GD
Max. gate voltage
that will not trigger
Max. gate current
that will not trigger
I
GD
0.25
V
6
mA
Anode supply = 6V
resistive load
V
GT
Max. gate voltage
required to trigger
Anode supply = 6V
resistive load
I
GT
Max. gate current
required to trigger
W
V
10
Parameters
IRK. 26
Units
Conditions
Parameters
IRK. 26
Units
Conditions
A mounting compound is recommended
and the torque should be rechecked after
a period of 3 hours to allow for the
spread of the compound
Sine half wave conduction
Rect. wave conduction
Devices
Units
180
o
0.23
120
o
0.27
90
o
0.34
60
o
0.48
30
o
0.73
180
o
0.17
120
o
0.28
90
o
0.36
60
o
0.49
30
o
0.73
IRK.26
°C/W
R Conduction (per Junction)
(The following table shows the increment of thermal resistance R
thJC
when devices operate at different conduction angles than DC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKT500 | SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKT500-12 | SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKT500-14 | SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-08 | SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
| IRKL500-12 | SUPER MAGN-A-pak Power Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRKT26/04A | 功能描述:SCR DBL HISCR 400V 27A ADD-A-PAK RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| IRKT26/04AS90 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:ADD-A-pak-TM GEN V Power Modules |
| IRKT26/04P | 功能描述:SCR模塊 400 Volt 27 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKT26/06A | 功能描述:SCR DBL HISCR 600V 27A ADD-A-PAK RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| IRKT26/06AS90 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR |
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