參數(shù)資料
型號: IRKLF180-12HJN
英文描述: THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
中文描述: 晶閘管模塊|倍增|半CNTLD |負(fù)| 1.2KV五(無線資源管理)| 180A我(翻譯)
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 335K
代理商: IRKLF180-12HJN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKLF180-12HKN THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKHF111-02EL THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|200V V(RRM)|112A I(T)
IRKHF111-02EM THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|200V V(RRM)|112A I(T)
IRKHF111-02EN THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|200V V(RRM)|112A I(T)
IRKHF111-02EP THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|200V V(RRM)|112A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKLF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKLF180-12HKN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKLF180-12HP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T)
IRKLF200-02CJ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|200V V(RRM)|200A I(T)
IRKLF200-02CK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|200V V(RRM)|200A I(T)