參數資料
型號: IRKF180
廠商: International Rectifier
英文描述: FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述: 快速晶閘管/二極管和磁共振-甲柏電源模塊晶閘管/晶閘管
文件頁數: 7/8頁
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代理商: IRKF180
IRK.F180.. Series
7
Bulletin I27100 rev. C 03/01
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)
IRK.F180.. Series
T = 125 C
I = 1000A
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
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320
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50
60
70
80
90
100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)
IRK.F180.. Series
T = 125 C
I = 1000 A
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Snubber circuit
Rs
Cs
V = 80% V
P
Pulse Basewidth ( s)
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85 C di/dt 50A/ s
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
500 0
150
2500
Snubber circuit
R s
Cs
V = 80% V
Pulse Basewidth ( s)
tp
DRM
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85 C di/dt 100A/ s
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth ( s)
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 F
V = 80% V
tp
Sinusoidal pulse
T = 85 C
DRM
IRK.F180.. Series
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
500 0
150
2500
Pulse Basewidth ( s)
IRK.F180.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60 C
Snubber circuit
R = 10 ohms
C = 0.47 F
V = 80% V
D
tp
DRM
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參數描述
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