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參數(shù)資料
| 型號： | IRHY57034CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 60V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| 中文描述： | 60V的N通道通孔抗輻射功率MOSFET（60V的通孔安裝抗輻射功率?溝道馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 120K |
| 代理商： | IRHY57034CM |
IRHY57034CM
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
10
20
30
40
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHY58034CM | 60V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(60V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHY53130CM | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHY57130CM | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHY58130CM | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
| IRHY54130CM | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHY57130CM | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 18A 3PIN TO-257 - Rail/Tube |
| IRHY57133CMSE | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 130V 18A 3PIN TO-257 - Rail/Tube |
| IRHY57230CM | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
| IRHY57230CMSE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, SEE HARD, R5 - Bulk |
| IRHY57234CMSE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, SEE HARD, R5 - Bulk |
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