參數資料
型號： IRHY54230CM
廠商： International Rectifier
英文描述： 200V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(200V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOS場效應管)
中文描述： 為200V，N溝道通孔抗輻射功率MOSFET（200V的電壓，通孔安裝抗輻射功率?溝道馬鞍山場效應管）
文件頁數： 7/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： IRHY54230CM
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHY57230CM
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
5.8A
8.2A
13A
TOP
BOTTOM
.
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PDF描述
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