- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377521 > IRHN7130 (International Rectifier) TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHN7130 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶體管N溝道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份證\u003d 14） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 508K |
| 代理商： | IRHN7130 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)當(dāng)前第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Pre-Radiation
Figure 25. – Maximum Safe Operating Area
Figure 22. – Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
Voltage.
Figure 23. – Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source
Voltage.
Figure 24. – Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
ID = 14A
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
J
C
o
o
VDS
D
I
10us
100us
1ms
10ms
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN8130 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| IRHN7230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN7150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 34A 3SMD-1 - Rail/Tube |
| IRHN7230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN7250SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN7250SESCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。