參數(shù)資料
型號: IRGTDN150M12
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 280A型我(丙)
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代理商: IRGTDN150M12
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PDF描述
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相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGTI0100M12 功能描述:整流器 1200 Volt 100 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
IRGTI090U06 制造商:IR 功能描述:IRGTI090U06
IRGVH50F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258AA
IRGVH50FD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258VAR
IRGVH50FU 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258VAR