參數(shù)資料
型號(hào)： IRGRDN400M12
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|四樓一（c）
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代理商： IRGRDN400M12
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PDF描述
IRGRDN600K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C)
IRGDDN400M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C)
IRGDDN600K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C)
IRGIH50FD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
IRGIH50FU TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
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參數(shù)描述
IRGRDN600K06 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 680A I(C)
IRGRDN600M06 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C)
IRGS 14C40LPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRGS10B60KD 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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