參數(shù)資料
型號(hào)： IRGR3B60KD2
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 11/13頁(yè)
文件大?。?/td> 257K
代理商： IRGR3B60KD2
IRGR3B60KD2
www.irf.com
11
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
-100
0
100
200
300
400
500
600
0.3
0.5
0.7
0.9
Time (uS)
V
-1.5
0
1.5
3
4.5
6
7.5
9
I
tf
Eoff Loss
90% Ice
5% Vce
5% Ice
Vce
Ice
-100
0
100
200
300
400
500
600
0.8
1
1.2
1.4
Time (uS)
V
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
I
Eon
Loss
tr
90% Ice
10% Ice
5% Vce
Vce
Ice
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
Time (uS)
V
-6
-3
0
3
6
9
12
15
I
Q
RR
t
RR
Peak
I
RR
10% Peak
I
RR
V
C
(
I
C
(
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
30
40
50
60
70
Time (uS)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Vce
Ice
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGR3B60KD2TRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGR4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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