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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGPC20K |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | IRGPC20K |
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
IRGPC30KD2
0
200
400
600
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
10
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 12A
I = 24A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
40
80
120
160
100
1000
dif
t
r
I = 24A
I = 12A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRGPC20KD2 | |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRGPC30F | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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