參數(shù)資料
型號： IRGP450LC
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 159K
代理商： IRGP450LC
IRFP450LC
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
10 V
0
400
800
1200
1600
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
A
I
TOP 6.3A
8.9A
BOTTOM 14A
相關PDF資料
PDF描述
IRGP460LC
IRFP450LC 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管)
IRGPC30KD2
IRGPC40K
IRGPC40KD2
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP450U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGP450UD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGP460LC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRGP4640D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP4640D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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