參數(shù)資料
型號： IRGB430UD2
廠商： International Rectifier
英文描述： 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d的500V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 15A條）
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 425K
代理商： IRGB430UD2
C-632
IRGB430UD2
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
∫
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
∫
t1
Vce ie dt
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
t3
Erec =
t4
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
tx
Qrr =
trr
id dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Refer to Section D for the following:
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Appendix B: Section D - page D-4
Fig. 18e - Macro Waveforms for Test Circuit Fig. 18a
Fig. 19 - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 20 - Pulsed Collector Current Test Circuit
Package Outline 1
- JEDEC Outline TO-220AB
Section D - page D-12
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB430 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGB430U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGB4B60KD1PBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB440U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGB4B60K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB4B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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