參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB14C40LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
中文描述： IGBT的具有片上柵極發(fā)射極和柵極采集夾
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： IRGB14C40LPBF
Fig.7 - Typ. Gate Charge vs V
GE
I
C
=10A; V
CE
=12V; V
GE
=5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
Fig.6 - Typ. Capacitance vs V
CE
V
GE
=0V; V
CE
=25V; f=1MHz
1
10
100
1000
1
10
100
V
CE
(V)
C
C
ies
C
res
C
oes
Fig.8 - Typical V
CE
vs V
GE
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GE
(V)
V
C
I
C
= 7A; 125°C
I
C
= 7A; 25°C
I
C
=10A; 125°C
I
C
=10A; 25°C
Fig.5 - Typical V
GE(th)
vs T
J
I
C
=1mA
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
0
50
100
150
200
T
J
(°C)
V
G
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PDF描述
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