參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4ZC71KD
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 224K
代理商： IRG4ZC71KD
IRG4ZC71KD
8
www.irf.com
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
∫
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
∫
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
W AVEFORMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
Qrr =
trr
tx
id dt
Ic dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Vce Ic dt
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
IRGAC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE
IRGAC30U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-204AE
IRGAC40F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 38A I(C) | TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4ZH50KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4ZH70UD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4ZH71KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Surface Mountable Short Circuit Rated UltraFast IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
IRG6B330UDPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:PDP TRENCH IGBT
IRG6I320UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 330V PLASMA DISPLAY PANEL TRENCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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