參數(shù)資料
型號： IRG4RC10STRL
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8A條一（c）|至252AA
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： IRG4RC10STRL
IRG4RC10S
www.irf.com
3
0.0
1.0
2.0
3.0
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125C
T = 90C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 0.70W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.8
1.2
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
6
8
10
12
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
°
L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4ZC71KD
IRG4ZH70UD
IRG4ZH71KD
IRGAC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 23A I(C) | TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRRPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10U 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4RC10UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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