參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4RC10KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
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代理商： IRG4RC10KDPBF
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
IRG4RC10SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10KDTR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4RC10KDTRR 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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