參數(shù)資料
型號： IRG4PC50W
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）最大值.\u003d 2.30V @和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 27A條）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRG4PC50W
IRG4PC50W
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
T = 25 C
°
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
T = 25 C
°
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
1000
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
J
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Triangular w ave:
C lamp voltage:
80% of rated
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4PH40KDPBF INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC50W-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 55000.000A TO-247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60F-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package
IRG4PC60FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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