參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC50FDPBF
廠(chǎng)商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大小: 765K
代理商: IRG4PC50FDPBF
IRG4PC50FDPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
L
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Turn-on losses include
effects of reverse recovery
1
10
100
1000
0.1
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
V = 15V
20μs PULSE W IDTH
A
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 50V
5μs PULSE W IDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC50SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC50WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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