參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC40KPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管短路額定IGBT的超快速
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 246K
代理商: IRG4PC40KPBF
IRG4PC40KPbF
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www.irf.com
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10
20
30
40
50
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = 10Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC40MD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40SD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC40U 功能描述:IGBT UFAST 600V 40A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件