參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC40FPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
中文描述： 絕緣柵BIPOLARTRANSISTOR IGBT的速度快
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 273K
代理商： IRG4PC40FPBF
IRG4PC40FPbF
www.irf.com
3
*'9'
3:3*'9'
#
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
T = 25°C
T = 150°C
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
0
20
40
60
80
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 35W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1000
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
'
0
/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC40K 功能描述:IGBT UFAST 600V 42A TO-247AC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC40KD 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40KD-206 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 42.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC40KDE206P 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4PC40KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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