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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4PC30UPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管IGBT的速度超快速 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 278K |
| 代理商： | IRG4PC30UPBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PC30U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| IRG4PC30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRG4PC30F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRG4PC30FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRG4PC30KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4PC30W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PC30WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PC40 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) |
| IRG4PC40F | 功能描述:IGBT FAST 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4PC40FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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