參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC30UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRG4PC30UD
8
www.irf.com
Dimensions in Millimeters and (Inches)
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-247AC (TO-3P)
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3.65 (.143)
3.55 (.140)
0.25 (.010)
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A
S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
*
NOTES:
1 DIMENSIONS & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTR OLLIN G DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS ARE SHOW N
MILLIMETER S (IN CHES).
4 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247AC .
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLECTOR
3 - EMITTER
4 - COLLECTOR
*
LONGER LEADED (20m m)
VERSION AVAILABLE (TO-247AD)
TO ORDER ADD "-E" SU FFIX
TO PART NUMBER
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
Data and specifications subject to change without notice. 12/00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC30UD-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC30WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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