參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC30FD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 223K
代理商： IRG4IBC30FD
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
RMS Isolation Voltage, Terminal to Case
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.
Max.
600
20.3
11
120
120
8.5
120
2500
± 20
45
18
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
Visol
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
A
V
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbfin (1.1 Nm)
IRG4IBC30FD
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
Very Low 1.59V votage drop
2.5kV, 60s insulation voltage
4.8 mm creapage distance to heatsink
Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
IGBT co-packaged with HEXFRED
TM
ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
Tighter parameter distribution
Industry standard Isolated TO-220 Fullpak
TM
outline
Benefits
Simplified assembly
Highest efficiency and power density
HEXFRED
TM
antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
E
G
n-channel
C
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.59V
@V
GE
= 15V, I
C
= 17A
3/26/99
Absolute Maximum Ratings
PD- 91751A
W
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
Max.
2.8
4.1
65
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case - IGBT
Junction-to-Case - Diode
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
1
TO-220 FULLPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30KD GT 19C 19#16 SKT RECP
irg4ibc30w INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC30FD-103 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA /
IRG4IBC30FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30KD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30S 功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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