參數(shù)資料
型號： IRG4CH50SB
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展|芯片
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 188K
代理商： IRG4CH50SB
IRG4BC30W-S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
5.0
6.0
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
1
10
100
1000
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 1.75W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4CH50UB
IRG4MC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA
IRG4MC50F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
IRG4MC50U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
IRG4PC50S-P 600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a SM TO-247 package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4IBC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC20FD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC20FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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