參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4CH40UB
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： IRG4CH40UB
IRG4BC30W-S
4
www.irf.com
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
25
50
T , Case Tem perature (°C)
75
100
125
150
M
V = 15V
A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
24
I = A
12
I = A
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4CH50KB
IRG4CH50SB TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
IRG4CH50UB
IRG4MC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA
IRG4MC50F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
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IRG4IBC10UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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