參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4CH40SB
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展|芯片
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 188K
代理商： IRG4CH40SB
IRG4BC30W-S
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4CH40UB
IRG4CH50KB
IRG4CH50SB TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
IRG4CH50UB
IRG4MC30F TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-254AA
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參數(shù)描述
IRG4CH40UB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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IRG4CH50UB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4IBC10UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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