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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4C30W-S |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 188K |
| 代理商： | IRG4C30W-S |
IRG4BC30W-S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
5.0
6.0
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
1
10
100
1000
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 1.75W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4CC10KB | |
| IRG4CC10SB | |
| IRG4CC10UB | |
| IRG4CC20FB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| IRG4CC20KB | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4CC10KB | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IRG4CC10KB IGBT Die in Wafer Form |
| IRG4CC10SB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRG4CC10UB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRG4CC20FB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| IRG4CC20KB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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