參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30S-STRR
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 18A條一（c）|至263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 135K
代理商： IRG4BC30S-STRR
IRG4BAC50S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T sink
Power D issipation = 4 0W
J
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4C30W-S
IRG4CC10KB
IRG4CC10SB
IRG4CC10UB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30U 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC30UDHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 23A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRG4BC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30UD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D
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