型號: | IRG4BC20W-STRR |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展|第13A一(c)|至263AB |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 135K |
代理商: | IRG4BC20W-STRR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4BC30S-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC30S-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
IRG4C30W-S | |
IRG4CC10KB | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4BC30 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
IRG4BC30F | 功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC30FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
IRG4BC30FD1 | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC30FD1PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |