參數(shù)資料
型號： IRG4BC20UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.85V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 6.5A）
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRG4BC20UD
IRG4BC20FD
6
www.irf.com
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = 50Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
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PDF描述
IRG4BC20W-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
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參數(shù)描述
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IRG4BC20UD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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