參數(shù)資料
型號： IRG4BC20UD-STRL
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 6.5AI（丙）|至263AB
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文件大?。?/td> 135K
代理商： IRG4BC20UD-STRL
Parameter
Max.
600
70
41
140
140
± 20
20
200
78
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4BAC50S
Standard Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PROVISIONAL
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
TBD
Max.
0.64
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
1
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
E
C
G
Features
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating frequencies (< 1kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry Super-220 (TO-273AA) package
Generation 4 IGBT offers highest efficiency
Optimized for specific application conditions
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.28V
@V
GE
= 15V, I
C
= 41A
1/19/2000
Super-220
(TO-273AA)
N-channel
PD - 93771
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20UD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20W-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20W-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30S-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
IRG4BC30S-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20UDSTRLP 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UD-STRR 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20UDSTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 13A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20U-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 13A TO-220-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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