參數(shù)資料
型號： IRG4BC20KDS
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.27V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 9.0,9.0）
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代理商： IRG4BC20KDS
IRG4BC20FD
6
www.irf.com
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = 50Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20UDS 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRG4BC20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20KD-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20KD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20KD-SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 16A
IRG4BC20KDSTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20KD-STRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT COPAK D2-PAK
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